SAMSUNG 1TB 990EVO PLUS M.2 NVME PCIE 4 SSD (MZ-V9S1T0BW)

102,7581,87

Saatavuus

Noutopisteessä 0 kpl
Toimitettavissa 44 kpl
Toimitusaika 4-6 Arkipäivää

Tuotetiedot

Tuotekoodi MZ-V9S1T0BW
Valmistaja SAMSUNG
Maksa erissä keskimäärin noin 5,10 /kk
(Joustava erämaksu, 24 kuukauden maksuajalla KLARNA erämaksulla)
Luoton kokonaiskustannus 123,20 - Lue lisää

Kuvaus

SAMSUNG 1TB 990EVO PLUS M.2 NVME PCIE 4 SSD

Kuvaus
Samsung 990 EVO Plus on vaativiin sovelluksiin suunniteltu sisäinen kiintolevyasema. Vankan 1 TB:n kapasiteetin ansiosta se tarjoaa runsaasti tallennustilaa erilaisille tiedostoille ja sovelluksille. Asema hyödyntää PCI Express 5.0:aa ja ylpeilee jopa 7150 Mt/s sisäisellä tiedonsiirtonopeudella, mikä mahdollistaa nopean tiedonhaun ja minimaaliset latausajat. Samsungin V-NAND TLC -teknologia parantaa suorituskykyä ja kestävyyttä, joten se soveltuu sekä jokapäiväiseen tietojenkäsittelyyn että intensiivisiin tehtäviin. Tämä asema on suunniteltu kestämään erilaisia ympäristöolosuhteita, sillä se toimii tehokkaasti 0-70 °C:n lämpötiloissa ja kestää jopa -40 °C:n ja 85 °C:n säilytyslämpötiloja. Siinä on TRIM-tuki ja automaattinen roskienkeräysalgoritmi, mikä takaa optimaalisen suorituskyvyn pitkällä aikavälillä. Tietoturva on etusijalla laitteistosalauksen ja TCG Opal Encryption 2.0 -standardin noudattamisen ansiosta, mikä suojaa tiedot luvattomalta käytöltä.
Tuotteen ominaisuudet
  • Nopea suorituskyky
    Samsung 990 EVO Plus tarjoaa nopeat luku- ja kirjoitusominaisuudet, jotka ovat välttämättömiä tehokäyttäjille ja pelaajille, sillä sen sisäinen tiedonsiirtonopeus on 7150 Mt/s ja kirjoitusnopeus jopa 6300 Mt/s.
  • Vankka kestävyys
    Tämä SSD-levy on suunniteltu toimimaan vaativissa ympäristöissä, ja se kestää lämpötiloja -40 °C:sta 85 °C:een, mikä takaa luotettavuuden erilaisissa olosuhteissa.
  • Kehittynyt turvallisuus
    Asemassa on 256-bittinen AES-laitteistosalaus, joka pitää tiedot turvassa TCG Opal Encryption 2.0:n avulla, jolloin käyttäjät voivat olla rauhassa arkaluonteisten tietojensa suhteen.
  • Tehokas virrankulutus
    Tämä asema toimii alhaisella tehotasolla, mukaan lukien 5 mW lukutilassa ja 4,2 wattia lepotilassa, joten se on tehokas ja edistää yleistä energiansäästöä.
  • Parannetut teknologiaominaisuudet
    Älykkäällä TurboWrite-tekniikalla ja Host Memory Buffer (HMB) -muistipuskurilla varustettu SSD-levy tarjoaa nopeampaa suorituskykyä ja parempaa tehokkuutta kaikissa sovelluksissa.
Yleistä
Laitteen tyyppi

SSD-levy – sisäinen

Muistin koko

1 Tt

Laitteistosalaus

Kyllä

Salausalgoritmi

AES 256 bittiä

NAND flash-muistityyppi

Triple-level cell (TLC)

Koko tai muoto

M.2 2280

Liitäntä

PCIe 5.0 x2 (NVMe)

Ominaisuudet

Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Device Sleep -tuki, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667

Leveys

22.15 mm

Syvyys

80.15 mm

Korkeus

2.38 mm

Paino

9 g

Suorituskyky
Sisäinen tiedonsiirtonopeus

7150 MBps (luku) / 6300 MBps (kirjoitus)

Maximum 4KB Random Write

1350000 IOPS

4KB enimmäissatunnaistoisto

850000 IOPS

Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF)

1.500.000 tuntia

Laajennus & Liitäntä
Yhteensopiva paikka

M.2 2280

Virransyöttö
Virrankulutus

4.3 watti(a) (luku)

4.2 watti(a) (kirjoitus)

60 mW (standby)

5 mW (lepotila)

Ohjelmisto & Järjestelmävaatimukset
Mukana tulevat ohjelmistot

Samsung Magician Software

Muuta
Kotelon materiaali

Nikkelipinnoite

Valmistajan takuu
Huolto ja tuki

Rajoitettu takuu – 5 vuotta / 600 TBW

Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila

0 °C

Enimmäiskäyttölämpötila

70 °C

Iskunkestävyys (suljettuna)

1500 g @ 0,5 ms

Tärinätoleranssi (suljettuna)

20 g @ 20-2000 Hz

Huom! Tekniset tiedot tarjoaa kolmas osapuoli. Data-Systems ei vastaa virheellisistä tiedoista.

Lisätiedot

Paino 0,1 kg (kilogramma)
Valmistaja

Tuotekoodi

Arviot

Tuotearvioita ei vielä ole.

Kirjoita ensimmäinen arvio tuotteelle “SAMSUNG 1TB 990EVO PLUS M.2 NVME PCIE 4 SSD (MZ-V9S1T0BW)”

Sähköpostiosoitettasi ei julkaista. Pakolliset kentät on merkitty *